IRFR220N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR220N	3 960	23.14

Версия для печати

Технические характеристики IRFR220N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR220N (Дискретные сигналы)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=600mohm, Id=5.0A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR220N datasheet
133.01Kb
10стр.