IRFR3303

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR3303		142.24

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3303

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 25V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR3303 (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR3303 datasheet
112.95Kb
10стр.