IRFR3418

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR3418		91.84

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3418

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 18A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3510pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR3418 (Дискретные сигналы)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR3418 datasheet
545.57Kb
10стр.