![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5 mOhm @ 18A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
Power - Max | 48W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR4105Z (Мощные полевые МОП транзисторы) Power MOSFET (Vds=55V, Rds (on) =24.5mohm, Id=30A)
Производитель:
|
|
Корзина
|