IRFR4105Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR4105Z	1	129.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFR4105Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24.5 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Power - Max	48W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR4105Z (Мощные полевые МОП транзисторы)

Power MOSFET (Vds=55V, Rds (on) =24.5mohm, Id=30A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR4105Z datasheet
206.31Kb
11стр.