![]() |
|
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
Power - Max | 57W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR5505 (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A) Также в этом файле: IRFR5505
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
140УД25А | КИЕВ |
![]() |
![]() |
|||||
140УД25А |
![]() |
359.36 | ||||||
140УД25А | ВОСХОД |
![]() |
![]() |
|||||
140УД25А | КВАЗАР |
![]() |
![]() |
|||||
140УД25А | RUS |
![]() |
![]() |
|||||
2РМДТ27КПН19Ш5А1В | 7 | 3 222.00 | ||||||
2РМДТ27КПН19Ш5А1В | ЭЛЕКОН |
![]() |
![]() |
|||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | 11 | 4 232.00 | ||||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ИСЕТЬ |
![]() |
![]() |
|||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ЭЛЕКОН | 12 | 5 027.40 | |||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ЛТАВА |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
![]() |
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
![]() |
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
![]() |
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | ЭЛЕКОН | 40 | 6 063.12 | |
2РТТ28Б4Ш10В | 28 | 2 200.80 | ||||||
2РТТ28Б4Ш10В | ЭЛЕКОН | 40 |
![]() |
|||||
2РТТ28Б4Ш10В | КАСКАД | 5 | 1 683.30 |
|
Корзина
|