IRFR6215
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR6215 150V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
25TTS12 |
|
Тиристор 25А, 1200В | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
25TTS12 |
|
Тиристор 25А, 1200В | VISHAY |
|
|
||
|
|
25TTS12 |
|
Тиристор 25А, 1200В |
|
474.40 | |||
|
|
25TTS12 |
|
Тиристор 25А, 1200В | Vishay/Semiconductors |
|
|
||
|
|
25TTS12 |
|
Тиристор 25А, 1200В | VISHAY/IR |
|
|
||
| DZ23C4V7-7-F | DIODES |
|
|
|||||
| DZ23C4V7-7-F |
|
100.00 | ||||||
| DZ23C4V7-7-F | DIODES INC. |
|
|
|||||
| DZ23C4V7-7-F | Diodes Inc |
|
|
|||||
 |
 |
IRL540NL |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
 |
IRLL2705PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRLL2705PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R | INTERNATIONAL RECTIFIER | 26 |
|
||
|
|
IRLL2705PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRLL2705PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный 55V 3,8A 2,1W 0,04R |
|
|
|||
|
|
MMFT3055ELT1 | MOTOROLA |
|
|
