IRFR9014

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9014		52.64

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9014

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFx901x

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFR9014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFR9014 datasheet
305.31Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SWT-5	Тактовая Кнопка 12.0 х 12.0 х 4,3мм, усилие нажатия 1,6N			8.72
SWT-5	Тактовая Кнопка 12.0 х 12.0 х 4,3мм, усилие нажатия 1,6N	BM
SWT-5	Тактовая Кнопка 12.0 х 12.0 х 4,3мм, усилие нажатия 1,6N	TYCO
SWT-5	Тактовая Кнопка 12.0 х 12.0 х 4,3мм, усилие нажатия 1,6N	BB	22	32.74
ВП2Б-1В 2 А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТАЛЬ	80	47.26
ВП2Б-1В 2 А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...
ВП2Б-1В 2 А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТ	2 042	39.52
КР574УД1Б	AD513		2 025	62.37
КР574УД1Б	AD513	МИКРО-М
КР574УД1Б	AD513	ТОНДИ	80	70.26
КР574УД1Б	AD513	RUS
КР574УД1Б	AD513	МИКРО М
КР590КН6		МИКРО-М	548	130.20
КР590КН6		СВЕТЛАНА	484	206.64
КР590КН6			232	110.40
КР590КН6		МИНСК
КР590КН6		RUS
КР590КН6		МОСКВА
КР590КН6		МИКРОМ
ПДК-1
ПДК-1		ОКТАВА ТУЛА
ПДК-1		1