IRFS23N15D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFS23N15D		125.52

Версия для печати

Технические характеристики IRFS23N15D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB23N15 (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=150V, Rds (on) max=0.090ohm, Id=23A)

Также в этом файле: IRFS23N15D

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFS23N15D datasheet
141.32Kb
11стр.