IRG4PC30W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PC30W		191.24

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PC30W

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector (Ic) (Max)	23A
Power - Max	100W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PC30W (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PC30W datasheet
125.63Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF9Z34	Hexfet® power mosfet	VISHAY
IRF9Z34	Hexfet® power mosfet	INTERNATIONAL RECTIFIER	40	117.30
IRF9Z34	Hexfet® power mosfet
IRF9Z34	Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	VISHAY
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А			107.04
IRFZ44	Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А	Vishay/Siliconix
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт			339.44
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	КИТАЙ
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INFINEON
КТ 368А
КТ8102Б		КРЕМНИЙ	8	255.00
КТ8102Б				69.68
КТ8102Б		БРЯНСК
КТ8102Б		КРЕМН