IRG4PH40U
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 160W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC857C/T1 |
|
4.64 | ||||||
| BC857C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BC857C/T1 | NEXPERIA |
|
|
|||||
 |
 |
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 295.80 | |
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | 10 | 266.40 | ||
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP260N |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W | INFINEON |
|
|
|
 |
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
660.00 | ||
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | UNKNOWN | 24 | 629.75 | |
| К1169ЕУ2 | КАЛУГА |
|
|
|||||
| К1169ЕУ2 |
|
|
||||||
| К1169ЕУ2 |
|
|
||||||
| К73-16-1600-0.018 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.018 мкФ 1600 В |
|
26.32 | ||||
| К73-16-1600-0.018 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.018 мкФ 1600 В | КЗК |
|
|
