IRG4PH40U

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PH40U (INTERNATIONAL RECTIFIER)	4	843.09
IRG4PH40U		357.88

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PH40U

Power - Max	160W
Current - Collector (Ic) (Max)	41A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PH40U datasheet
220.44Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJI ELECTRIC
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJITSU
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJI
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJ
АОУ103Б				190.08
АОУ103Б		СТАРТ
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс		4	120.25
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	СЗТП	8	579.96
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСК
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КС215Ж	стекло		1 105	92.00
КС215Ж	стекло	НЗПП	1 040	36.16
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСК
КС215Ж	стекло	RUS
КС215Ж	стекло	СЗТП	80	75.18
КС215Ж	стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ 503 Г (06-09Г)	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	RUS