IRG4PH40U
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 160W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1940 |
|
N-MOS 600V, 12A, | FUJI ELECTRIC |
|
|
|||
| 2SK1940 |
|
N-MOS 600V, 12A, | FUJITSU |
|
|
|||
| 2SK1940 |
|
N-MOS 600V, 12A, |
|
|
||||
| 2SK1940 |
|
N-MOS 600V, 12A, | FUJI |
|
|
|||
| 2SK1940 |
|
N-MOS 600V, 12A, | FUJ |
|
|
|||
| АОУ103Б |
|
190.08 | ||||||
| АОУ103Б | СТАРТ |
|
|
|||||
 |
 |
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс | 7 | 122.50 | ||
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс | ФОТОН |
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс | СЗТП |
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс | САРАНСК |
|
|
|
 |
КС215Ж |
|
стекло | 1 149 | 87.50 | |||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НЗПП | 1 440 | 34.44 | ||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НОВОСИБИРСК |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | RUS |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | СЗТП | 80 | 71.40 | ||
 |
|
КТ 503 Г (06-09Г) |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | RUS |
|
|
