IRG4PH50UD

Транзистор IGBT модуль единичный

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PH50UD		660.00
IRG4PH50UD (UNKNOWN)	14	726.00

Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ
Ток коллектора максимальный при 25°C 45 А
Ток коллектора максимальный при 100°C 24 А
Напряжение насыщения К-Э 2.78 В
Время нарастания 24 нс
Время спада 180 нс
Время восстановления диода 135 нс
Прямое падение напряжение диода 2.5 В
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Корпус TO-247-3

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PH50UD

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 24A
Current - Collector (Ic) (Max)	45A
Power - Max	200W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PH50UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PH50UD datasheet
229.49Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF1010E	Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	187.95
IRF1010E	Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт		362	40.07
IRF1010E	Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт	INFINEON
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	311.46
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W		1	279.72
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	МЕКСИКА
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz			377.52
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	МЕКСИКА
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INFINEON
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт			339.44
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	КИТАЙ
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INFINEON
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAI/QTC
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIR
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FSC
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт		6	55.20
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	Fairchild Semiconductor
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIRCHILD	26	177.21
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS	104	253.59
RFP50N06	Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS-FAIR

IRG4PH50UD

Транзистор IGBT модуль единичный

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают: