|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BTB16-800BRG |
|
Симистор 16A, 800В, 50мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
14
|
100.41
|
|
|
|
BTB16-800BRG |
|
Симистор 16A, 800В, 50мА
|
|
36
|
151.20
|
|
|
|
BTB16-800BRG |
|
Симистор 16A, 800В, 50мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BTB16-800BRG |
|
Симистор 16A, 800В, 50мА
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BTB16-800BRG |
|
Симистор 16A, 800В, 50мА
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
178.50
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
|
|
3
|
193.20
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
|
|
151.08
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
FCS
|
|
|
|
|
|
К73-9-0.1МКФ 100В (10%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
2 060.40
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
|
147
|
840.00
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
БРЯНСК
|
383
|
900.00
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|