|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5330pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRL1004S (N-канальные транзисторные модули) 40V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL1004STRL, IRL1004STRR
Производитель:
|
|