|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 38A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V |
Power - Max | 330W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL3713 (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL3713S
Производитель:
|
|