|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 18A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 10V |
Power - Max | 47W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRL3714Z HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL3714ZL, IRL3714ZS
Производитель:
|
|