IRLD120

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLD120		66.92

Версия для печати

Технические характеристики IRLD120

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 780mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	490pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLD120 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLD120 datasheet
172.54Kb
6стр.