![]() |
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1079pF @ 10V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
![]() | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р С’3021 РџСЂРµРТвЂР  Р…азначен Р В РўвЂР  В»РЎРЏ установкРцРЅР° Р В РЎВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р С’ постоянный... 1909.68 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | Р В РЎСџ2Р В РЎС›-18 Масса переключателя Р Р…Р Вµ более 5 Р С– РЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР В Р’Вµ Р В РЎвЂР  В·Р С•ляцРСвЂР  С†Р Р…Р Вµ Р В РЎВенее 1000 РњРћРѠРВВлектрРСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓР С”ая прочность Р В РЎвЂР  В·Р С•ляцРСвЂР  С†1200 Р В РІР‚в„ў 367.82 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | SF34 Ультрабыстрый Р В РўвЂР В РЎвЂР  С•Р Т†200V 3A РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|