K6X1008T2D-BF70

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
K6X1008T2D-BF70 (SAMSUNG.)	240	3-4 недели Цена по запросу
K6X1008T2D-BF70		277.72

Версия для печати

Технические характеристики K6X1008T2D-BF70

Производитель	SAMSUNG ELECTRONICS
Количество в упаковке	1000 шт.
Вес	1.990 г
Объём памяти	1024 kbit
Cell Resistance @ Illuminance	128x8
Center / Cutoff Frequency	70 нс
Напряжение питания	2.7…3.6 В
Корпус (размер)	SOP32-525
Рабочая температура	-40...85 °C
Температура хранения	-65...150 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

K6X1008T2D (Маломощная SRAM (1 Мб))

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Также в этом файле: K6X1008T2D-BF70, K6X1008T2D-BF702

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

K6X1008T2D-BF70 datasheet
155.88Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TOP246R-TL	Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 57W Umax 700V Imax 2,889A	PI
TOP246R-TL	Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 57W Umax 700V Imax 2,889A	POWER INTEGRATIONS	212	270.00
TOP246R-TL	Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 57W Umax 700V Imax 2,889A			364.00
TOP246R-TL	Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 57W Umax 700V Imax 2,889A	POWER INTEGRATIONS
TOP246R-TL	Интегральный Преобразователь Uвх 230VAC Pвых 57W Umax 700V Imax 2,889A	POWER INTEGRATI