|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AM1D-0505SH30Z |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В / 200мА, изоляция 3кВ
|
AIMTEC
|
9 818
|
324.86
|
|
|
|
AM1D-0505SH30Z |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В / 200мА, изоляция 3кВ
|
|
|
516.12
|
|
|
|
AM1D-0505SH30Z |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В / 200мА, изоляция 3кВ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AM1D-0505SH30Z |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В / 200мА, изоляция 3кВ
|
AIMT
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINICIR
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
|
|
1 040.00
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
|
123.48
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
20
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
EVVO
|
604
|
65.63
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
|
|
154.24
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
CMOS
|
204
|
180.46
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
EVVO
|
1 194
|
39.48
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
846
|
28.70
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
2 646
|
41.07
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
6 651
|
32.00
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|