|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
16 792
|
8.36
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
316 888
|
3.71
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
|
8
|
32.80
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MUR
|
47 312
|
8.03
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
KPH-1608SGC |
|
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KPH-1608SGC |
|
|
KGB
|
|
|
|
|
|
KPH-1608SGC |
|
|
|
|
|
|
|
|
KPH-1608SGC |
|
|
KB
|
|
|
|
|
|
LM317LIDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM317LIDR |
|
|
|
4
|
|
|
|
|
LM317LIDR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM317LIDR |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
16
|
9.32
|
|