M27C256B-10F1

Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
M27C256B-10F1		230.96

Версия для печати

Технические характеристики M27C256B-10F1

Корпус	28-CDIP Frit Seal with Window
Корпус (размер)	28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	Parallel
Скорость	100ns
Объем памяти	256K (32K x 8)
Тип памяти	UV EPROM
Формат памяти	EPROMs
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

M27C256B (OTP ROM)

256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

Также в этом файле: M27C256B-10F1TR, M27C256B-10F1X

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

M27C256B-10F1 datasheet
149.06Kb
16стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG DEVICES
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...			1 362.40
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	ANALOG
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	Analog Devices Inc
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	КИТАЙ
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	AD1
AD620BNZ	Инструментальный усилитель, Ку=1..1000, Uсдв=15мкВ, 0.1мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...	NO NAME
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	Analog Devices Inc
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92	ANALOG DEVICES
AD680JTZ	Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
ADG411BNZ		ANALOG DEVICES
ADG411BNZ		ANALOG
ADG411BNZ
ADG411BNZ		Analog Devices Inc
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)		180	440.00
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	STMicroelectronics
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTR
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	СИНГАПУР
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST1
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	SGS THOMSON
M27C4001-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRO
TS80C31X2-MCB		ATM
TS80C31X2-MCB		ATMEL
TS80C31X2-MCB				273.28

M27C256B-10F1

Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают: