MC12080DG

Стандартная микросхема , предварительный делитель

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC12080DG		560.00

Тип микросхемы Часы Модуль Prescaler
Частота 1,1 ГГц
Количество выходов 1
Напряжение питания 4.5-5,5 В
Цифровая IC Тип корпуса SOIC
Количество выводов 8
Тип интерфейса -Ток питания 3.7mA
Минимальная температура работы -40 ° 85 ° C
Тип входа ECLLogic
Тип интерфейсаLogic IC
Тип выводов SMD
Аналоги: MC12080DR2G ONS, MC12080D ONS

Версия для печати

Технические характеристики MC12080DG

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Divider/Multiplier	Yes/No
Частота -макс.	1.1GHz
Differential - Input:Output	Yes/No
Ratio - Input:Output	1:1
Число каналов	1
Выход	ECL
PLL	Нет
Вход	ECL
Тип	Prescaler
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Стандартная микросхема , предварительный делитель

MC12080DG datasheet
123,48kB
4стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	FAIR
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	FAIRCHILD
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger			27.72
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	FAIRCHILD
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	Fairchild Semiconductor
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	ONS-FAIR
74AC14SCX	Hex Inv Schmitt Trigger	ONS
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	120	1.20
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	3 588	3.30
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	379	1.89
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	155	2.26
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	13 612	1.92
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	318 734	1.39
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	13 213	1.67
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
BFR93A	Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	TEXAS INSTRUMENTS	21	14.40
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	ST MICROELECTRONICS
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА			15.68
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	STMicroelectronics
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	МАРОККО
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	ON SEMICONDUCTOR	12
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	TEXAS INSTRUMENTS	24
LM311D	Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА	TEXAS

MC12080DG

Стандартная микросхема , предварительный делитель

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Часы/Таймеры

Часовые генераторы, синтезаторы частоты

С этим товаром покупают: