|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC1845 |
|
Si-N, 120V, 0,05A, 0,5W, 110MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC1845 |
|
Si-N, 120V, 0,05A, 0,5W, 110MHz
|
|
|
18.00
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-2.0K 0.1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-2.0K 0.1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
15.20
|
|
|
|
MF-0.25-6.8K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-6.8K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
2
|
2.84
|
|
|
|
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm
|
BOURNS
|
4
|
55.53
|
|
|
|
RLB1314-103KL |
|
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm
|
|
|
132.00
|
|