Версия для печати
Технические характеристики MJE802

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32

MJE802 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS Производитель: STMicroelectronics //www.st.com MJE802 datasheet 67.22Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	2 224	20.40
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS	728	59.10
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	40.32
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	17 932	20.55
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		MJE800			ON SEMICONDUCTOR
		MJE800

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRGB10B60KD			INTERNATIONAL RECTIFIER	273	88.20
		IRGB10B60KD			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGB10B60KD
		L6385			ST MICROELECTRONICS
		L6385			ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		L6385			STMicroelectronics
		L6385
		L6385			4-7 НЕДЕЛЬ	585
		MPS4250			ON SEMICONDUCTOR
		MPS4250			ON SEMICONDUCTOR
		MPS4250
		MPSW42			MOTOROLA
		MPSW42			ON SEMICONDUCTOR
		MPSW42					122.40
		MPSW42			MOTOROLA
		MPSW42			ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	NEC
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	PHILIPS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	SIGNETICS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS	18	18.15
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIRCHILD
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C			39.52
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	156

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"