MMBF170LT1G
Транзистор
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MMBF170LT1 (Полевые МОП транзисторы) Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel Также в этом файле: MMBF170LT1G
Производитель:
|
