MMBF170LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBF170LT1G		18.40
MMBF170LT1G (VBSEMI)	5 504	4.69

Версия для печати

Технические характеристики MMBF170LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60pF @ 10V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBF170LT1 (Полевые МОП транзисторы)

Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel

Также в этом файле: MMBF170LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBF170LT1G datasheet
64.46Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BSH201.215		NXP	133	20.00
BSH201.215
BSH201.215		NEX-NXP
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)		1 385	94.32
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)	BM
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)	NXU
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)	KLS
DB-50F	Розетка 50 pin на кабель (пайка)	RUICHI
HC-49S 12000 КГЦ 30 PPM	Кварцевый резонатор 12МГц, HC49S, 30PPM	KDS
HC-49S 12000 КГЦ 30 PPM	Кварцевый резонатор 12МГц, HC49S, 30PPM			18.40
L9637D013TR		ST MICROELECTRONICS
L9637D013TR				165.80
L9637D013TR		ST MICROELECTRONICS SEMI
L9637D013TR		STMicroelectronics
L9637D013TR		КИТАЙ
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс		81	56.32
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	ФОТОН
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	СЗТП	8	265.20
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО