Версия для печати
Технические характеристики NCP1200P60G

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-25°C ~ 150°C
Напряжение входное	11.4 V ~ 16 V
Частотный диапозон	52 ~ 70kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

NCP1200 (AC/DC преобразователи) PWM Current-Mode Controller for Low-Power Universal Off-Line Supplies Также в этом файле: NCP1200P60G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com NCP1200P60G datasheet 153.94Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2200МКФ 10В (10X21) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		2200МКФ 10В (10X21) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10В			36.00
		220МКФ 35В (8X11) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 35В,105 °C	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		220МКФ 35В (8X11) 105°C		Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 35В,105 °C		272	6.60
		2SK3567		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA
		2SK3567		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOS
		2SK3567		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)		2	140.40
		2SK3567		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	FAIR
		2SK3567		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA	180
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		21 818	1.02
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	712	4.92
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	8 000	2.11

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"