NCP3063BDR2G
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
NCP3063BDR2G (ON SEMICONDUCTOR.) |
140 |
3-4 недели Цена по запросу
|
NCP3063BDR2G (ONSEMI) |
13 440 |
85.27
|
|
Технические характеристики NCP3063BDR2G
Корпус | 8-SOICN |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение входное | 3 V ~ 40 V |
Частота переключения | 150kHz |
Ток выходной | 1.5A |
Напряжение выходное | Adjustable |
Число выходов | 1 |
Synchronous Rectifier | Нет |
Внутренняя коммутация | Да |
Тип | Step-Down (Buck), Step-Up (Boost), Inverting |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru