Версия для печати
Технические характеристики NJM78L03UA-TE1

Корпус	SOT89
Номинальный выходной ток,мА	0.1
Максимальное входное напряжение, В	36
Выходное напряжение, В	3.15

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	228 184	2.40
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		92 556	1.30  >100 шт.   0.65
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	1 111	2.42
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 171	1.86
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	131 789	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	26 400	1.14
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	281 966	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME	1	2.36
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	25 075	1.01
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	67 200	1.04  >100 шт.   0.52
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	113 374	1.10  >100 шт.   0.55
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 873	2.00
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	592	1.84
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	15 824	2.21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.51
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	24	10.82
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		39 442	1.68  >100 шт.   0.84
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	37 188	1.07
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.43
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	542 413	1.97
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	99 619	1.51
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	60 654	1.52
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	60	2.82
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	36 032	1.19
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		4 431	5.28
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	129 415	1.54  >100 шт.   0.77
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	30 400	3.94
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.44
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 165 427	1.29
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 631	1.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	542 434	1.70  >100 шт.   0.85
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	600 000	1.38
		HCM1206A		PBF излучатель звука 12 мм, 6В	JLW	13 636	45.69
		HCM1206A		PBF излучатель звука 12 мм, 6В		4 160	25.06
		HCM1206A		PBF излучатель звука 12 мм, 6В	JL WORLD	5 600	72.82
		HCM1206A		PBF излучатель звука 12 мм, 6В	BESTAR
		HCM1206A		PBF излучатель звука 12 мм, 6В	RUICHI	1 358	31.64
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	VISHAY
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET			13.24
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SHIKUES
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	115 801	3.04
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KLS	1 900	7.34
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SUNTAN	62 640	9.95
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	55	5.01

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"