2 ОУ полев. вход, 9 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 100 нА, Iвых = 14 мА, Iп = 4 мА, Uп = 9...44 В, -40...+85°C, SOIC8. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±4.5 V ~ 22 V |
Ток выходной / канал | 90mA |
Ток выходной | 30mA |
Напряжение входного смещения | 1000µV |
Ток - входного смещения | 100nA |
Полоса пропускания | 9MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 22 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | Audio |
Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
OP275 (Аудио усилители) Dual Bipolar / JFET, Audio Operational Amplifier Также в этом файле: OP275GS, OP275GSR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4007 | DC COMPONENTS | 124 162 | 2.00 | |||||
1N4007 | GENERAL SEMICONDUCTOR | |||||||
1N4007 | LITE ON OPTOELECTRONICS | |||||||
1N4007 | PANJIT | |||||||
1N4007 | FSC | |||||||
1N4007 | MCC | |||||||
1N4007 | DIC | |||||||
1N4007 | FAIR | |||||||
1N4007 | PHILIPS | |||||||
1N4007 | MIC | 394 645 | 1.40 | |||||
1N4007 | DIOTEC | 74 110 | 3.23 | |||||
1N4007 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
1N4007 | LD | |||||||
1N4007 | JGD | |||||||
1N4007 | MING SHUN | |||||||
1N4007 | MS | |||||||
1N4007 | QUAN-HONG | |||||||
1N4007 | XR | |||||||
1N4007 | GALAXY | |||||||
1N4007 | COMPACT TECHNOLOGY | |||||||
1N4007 | DC COMPONENTS | |||||||
1N4007 | FAIRCHILD | 288 | ||||||
1N4007 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 | ||||||
1N4007 | LITE ON OPTOELECTRONICS | |||||||
1N4007 | MASTER INSTRUMENT CORPORATION | |||||||
1N4007 | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) | |||||||
1N4007 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
1N4007 | PANJIT | 307 692 | ||||||
1N4007 | PHILIPS | |||||||
1N4007 | TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. | |||||||
1N4007 | YANGJIE SEMICONDUCT | |||||||
1N4007 | Fairchild Semiconductor | |||||||
1N4007 | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD | |||||||
1N4007 | MICROSEMI CORP | |||||||
1N4007 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
1N4007 | GD | |||||||
1N4007 | JC | |||||||
1N4007 | KINGTRONICS | |||||||
1N4007 | YJ | 119 052 | 1.40 | |||||
1N4007 | DIODES INC. | |||||||
1N4007 | MIG | |||||||
1N4007 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | |||||||
1N4007 | MOTOROLA | |||||||
1N4007 | YJ ELE-NIC CORP | |||||||
1N4007 | RECTIFIER | |||||||
1N4007 | EXTRA COM-NTS | |||||||
1N4007 | GALAXY ELECTRICAL | |||||||
1N4007 | GEMBIRD | |||||||
1N4007 | ТОМИЛИНО | |||||||
1N4007 | EXTRA | |||||||
1N4007 | КИТАЙ | 800 | 6.12 | |||||
1N4007 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | |||||||
1N4007 | MD | |||||||
1N4007 | 17 831 |
1.64 >100 шт. 0.82 |
||||||
1N4007 | ONS-FAIR | |||||||
1N4007 | ONS | |||||||
1N4007 | ELZET | |||||||
1N4007 | GALAXY ME | |||||||
1N4007 | LGE | 104 | 1.93 | |||||
1N4007 | HOTTECH | 93 391 | 1.34 | |||||
1N4007 | KLS | 58 400 | 2.95 | |||||
1N4007 | YS | |||||||
1N4007 | YANGJIE | 135 200 | 1.73 | |||||
1N4007 | YANGJIE (YJ) | |||||||
1N4007 | MC | |||||||
1N4007 | FAIRCHILD | |||||||
1N4007 | WUXI XUYANG | 144 | 2.21 | |||||
1N4007 | KUU | 2 |
1.22 >100 шт. 0.61 |
|||||
1N4007 | CHINA | 15 317 | 1.02 | |||||
1N4007 | SUNRISETRON | |||||||
1N4007 | UNKNOWN | |||||||
1N4007 | BILIN | |||||||
1N4007 | KEHE | |||||||
1N4007 | 1 | |||||||
1N4007 | BL | |||||||
1N4007 | SUNTAN | 86 281 | 2.24 | |||||
1N4007 | TWGMC | 43 920 |
1.10 >100 шт. 0.55 |
|||||
1N4007 | CTK | |||||||
1N4007 | JUXING | 125 | 2.76 | |||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | 36 | 1 920.00 | ||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | POL-SUN | |||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | КАЗАНЬ | |||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | КОМ | |||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | RUS | |||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | ИСЕТЬ | |||||||
2РМ22КПН10Ш1В1 | ЭЛЕКОН | |||||||
B32522C475J | EPCOS Inc | |||||||
B32522C475J | 437.76 | |||||||
MJE15034G | 1 | 308.40 | ||||||
MJE15034G | ON Semiconductor | |||||||
MJE15034G | ONS | 152 | 177.12 | |||||
MJE15034G | ON SEMICONDUCTO | |||||||
MJE15034G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
КП303А | Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 57.60 | ||||||
КП303А | Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 16 934 | 24.00 | ||||
КП303А | Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ | ||||||
КП303А | Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS | ||||||
КП303А | Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 158.10 |
|