|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
17 887
|
8.37
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
272 944
|
6.47
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
|
175
|
462.50
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
41 651
|
4.43
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
47 936
|
2.03
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
181.50
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
|
|
314.84
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
КР249КН201А |
|
|
|
|
105.60
|
|
|
|
КР249КН201А |
|
|
ПРОТОН
|
372
|
147.00
|
|