|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
|
|
51.68
|
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-104 |
|
Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
804
|
20.23
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
|
|
25.60
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
FAIRCHILD
|
1 487
|
10.00
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
FAIRCHILD
|
580
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
FCS
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
74AC08SC |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IR2110SPBF |
|
Независимые драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110SPBF |
|
Независимые драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2110SPBF |
|
Независимые драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс
|
|
|
|
|
|
|
IR2110SPBF |
|
Независимые драйверы верхнего и нижнего ключей. U= 500V Io+/- =2/2A t(on/of)= 120/94нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
1 260
|
28.93
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
51.30
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
|
|
76.64
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
82
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A
|
1
|
|
|
|