PHB27NQ10T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB27NQ10T		113.84

Версия для печати

Технические характеристики PHB27NQ10T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	28A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1240pF @ 25V
Power - Max	107W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB27NQ10T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHB27NQ10T datasheet
118.5 Кб