|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
6 544
|
4.57
|
|
|
|
BL-BEG201 RG |
|
|
BRIGHTLED
|
|
|
|
|
|
BL-BEG201 RG |
|
|
|
|
12.00
|
|
|
|
BL-BEG201 RG |
|
|
BRI
|
|
|
|
|
|
BL-BEG201 RG |
|
|
BRIGHT-ON
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTR |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTR |
|
Транзистор полевой
|
|
|
38.00
|
|
|
|
IRFR9024NTR |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTR |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTR |
|
Транзистор полевой
|
YOUTAI
|
4 139
|
15.20
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
11
|
73.94
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
|
|
33.60
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS ELECTRON
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
|
|
40.40
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|