|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
DC COMPONENTS
|
43 271
|
1.05
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
PHILIPS
|
32 022
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
EIC
|
|
|
|
|
|
CL11 0.0068UF 250 V 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
594
|
5.34
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
6 114
|
1.90
|
|
|
|
PC817A |
|
Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
PC817A |
|
Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%
|
|
10 560
|
2.44
|
|
|
|
PC817A |
|
Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817A |
|
Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
RLB0712-101KL |
|
Индуктивность радиальная для монтажа в отв. платы 100 мкГн, 10%, 320мА
|
|
|
32.80
|
|
|
|
RLB0712-101KL |
|
Индуктивность радиальная для монтажа в отв. платы 100 мкГн, 10%, 320мА
|
BOURNS
|
1 617
|
39.78
|
|