|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
|
|
|
|
|
|
4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16) |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16) |
|
|
|
|
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
|
|
5.00
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SA-100-3.3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 100 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
SA-100-3.3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 100 В
|
|
|
16.12
|
|
|
|
SA-100-3.3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 100 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA-100-3.3 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 100 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
18 199
|
10.81
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 453
|
24.00
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|