|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
|
|
13.32
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
JCET
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2SA1013 (KSA) |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1013 (KSA) |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
7 503
|
11.74
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
131 072
|
5.17
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
11.37
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
604
|
4.94
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
139 861
|
3.81
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 616
|
5.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.64
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
6.00
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.69
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
48 093
|
1.89
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.47
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.47
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
57 348
|
3.48
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.36
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
YAGEO
|
221
|
112.31
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK400M0047B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В
|
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
|
9
|
138.75
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|