SPD09P06PL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPD09P06PL		109.28

Версия для печати

Технические характеристики SPD09P06PL

Корпус	PG-TO252-3
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	42W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.8A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPD09P06PL (Полевые МОП транзисторы)

Sipmos Power-transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPD09P06PL datasheet
232.22Kb
8стр.