SPP02N60S5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPP02N60S5		100.00

Версия для печати

Технические характеристики SPP02N60S5

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 80µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	240pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP02N60S5 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPP02N60S5 datasheet
306.96Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	NXP
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА			114.84
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	КИТАЙ
BT139X-800.127	Триак 16A 800V 35mA	NXP
BT139X-800.127	Триак 16A 800V 35mA	WEEN/NXP
BT139X-800.127	Триак 16A 800V 35mA	WEEN / NXP
BT139X-800.127	Триак 16A 800V 35mA	WEEN
BT139X-800.127	Триак 16A 800V 35mA
BT152-800R.127	Тиристор 20A 800V	NXP
BT152-800R.127	Тиристор 20A 800V	WEEN/NXP	877	76.66
BT152-800R.127	Тиристор 20A 800V	WEEN / NXP
BT152-800R.127	Тиристор 20A 800V	WEEN
BT152-800R.127	Тиристор 20A 800V
ECAP 1000/25V 1020 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В	SAMWHA
ECAP 1000/25V 1020 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В	YAGEO
ECAP 2200/16V 1220 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16 В, 105°C	SAMWHA