|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | CoolMOS™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Power - Max | 208W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | PG-TO247-3 |
SPW20N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
60CPQ150PBF | Диод 60A,150В Шоттки x2 | VISHAY | ||||||
60CPQ150PBF | Диод 60A,150В Шоттки x2 | Vishay/Semiconductors | ||||||
BCR133 | Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W | INFINEON | ||||||
BCR133 | Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W | 4.32 | ||||||
BCR133 | Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W | КИТАЙ | ||||||
BCR133 | Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W | ТАИЛАНД | ||||||
CSD20060D | CREE | |||||||
CSD20060D | 3 992.00 | |||||||
CSD20060D | Cree Inc | |||||||
IRFPG50 | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFPG50 | Транзистор полевой | VISHAY | ||||||
IRFPG50 | Транзистор полевой | 4 | 306.04 | |||||
IRFPG50 | Транзистор полевой | Vishay/Siliconix | ||||||
IRFPG50 | Транзистор полевой | КИТАЙ | ||||||
STW26NM60 | N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STW26NM60 | N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | STMicroelectronics |
|