STB21NM50N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB21NM50N		180.00

Версия для печати

Технические характеристики STB21NM50N

Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	MDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1950pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.