STD10PF06-1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STD10PF06-1		40.00

Версия для печати

Технические характеристики STD10PF06-1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SANYO
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)			119.00
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	SAN
2SC5706	NPN 80V, 5A, 0.8W, 400MHz (Comp. 2SA2039)	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	193.80
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	121.20
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 756	55.66
STD10PF06T4		ST MICROELECTRONICS
STD10PF06T4				52.60
STD10PF06T4		ST MICROELECTRONICS SEMI	568
STD10PF06T4		STMicroelectronics
STD10PF06T4		КИТАЙ
STD10PF06T4		ST MICROELECTRO
STD10PF06T4		VBSEMI	610	41.68
TL1451ACDBR		TEXAS INSTRUMENTS
TL1451ACDBR				363.00
TL1451ACDBR		TEXAS INSTRUMENTS
TL1451AQDR		TEXAS INSTRUMENTS
TL1451AQDR				495.00