STP4NB80

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP4NB80	2	254.40

Версия для печати

Технические характеристики STP4NB80

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	920pF @ 25V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP4NB80 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N - CHANNEL 800V - 3 - 4A - TO-220 / TO-220FP PowerMESHTM MOSFET

Также в этом файле: STP4NB80FP

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP4NB80 datasheet
356.99Kb
9стр.