SWD-03
|
Движковые переключатели для поверхностного монтажа Коммутируемый ток / напряжение 25 мА / 24 В Сопротивление контактов / изоляции 0,1 Ом Рабочий диапазон температур -40…+85 С |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1206-X7R-0.1UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10% | KOME |
|
|
|
|
|
|
1206-X7R-0.1UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ, 50 В, 10% |
|
2.40 | ||
 |
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 360 | 118.08 | |
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 |
|
220.00 | ||
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | MICRO CHIP | 25 |
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | Microchip Technology |
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
| HC-49S-16000 КГЦ |
|
|
||||||
 |
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40 | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40 |
|
592.80 | ||
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40 | Microchip Technology |
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/P |
|
8KX14 FLASH, 36I/O, 20MHZ, DIP40 | MICRO CHIP | 4 |
|
|
| ЖКИ WG12864B-REI-VN | WINSTAR |
|
|
|||||
| ЖКИ WG12864B-REI-VN | КИТАЙ |
|
|
