Версия для печати
Технические характеристики T491A106K006AT

Номинальное напряжение	6.3 В
Температурный коэфициент	X5R
Емкость	10 мкФ
Серия	T491
Корпус (размер)	1206 / 3216-18 (EIA)
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	4.000 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.071" (1.80mm)
Manufacturer Size Code	A
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D107X9010C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В	VISHAY	55 782	31.87
		293D107X9010C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В			126.40
		293D107X9010C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В	Vishay/Sprague
		293D107X9010C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В	VISHAY
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		92 304	1.06
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	2 885	2.81
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	21 103	2.47
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	130 320	1.42
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	11	2.91
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	2.57
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	111 604	1.48
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	61 940	1.44
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В		60 769	1.26  >100 шт.   0.63
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KINGTRONICS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECH	467 004	1.45
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YJ	4 480	2.07
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	YANGJIE (YJ)
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP/NEXPERIA
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	PHILIPS
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	KLS	14 682	1.62  >100 шт.   0.81
		BZV55C3V3		Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	HOTTECN	5 816	1.26
		IRLML6346TR		Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6346TR		Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
		IRLML6346TR		Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт	INFINEON
		IRLML6346TR		Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт	HOTTECH
		IRLML6346TR		Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт	TRR	2 947	6.11
		SH006M1000B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В	YAGEO
		SH006M1000B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH006M1000B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"