|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
2 588
|
5.15
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 875
|
3.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
2 400
|
1.13
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
3 811
|
1.90
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
12 000
|
1.20
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
ZTX753 |
|
Транзистор биполярный
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
ZTX753 |
|
Транзистор биполярный
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
ZTX753 |
|
Транзистор биполярный
|
|
|
310.52
|
|
|
|
ZTX753 |
|
Транзистор биполярный
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
ZTX753 |
|
Транзистор биполярный
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
68
|
112.00
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
240
|
84.00
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
40
|
280.50
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
|
340
|
86.28
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СССР ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТМОСКВА
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ТАРТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СЗТП
|
64
|
112.20
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
|
5 195
|
22.88
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ЗОНД
|
62
|
20.00
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
СЗТП
|
8
|
81.60
|
|