2N6132

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 081	33.44
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	540	51.00
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	796	90.00
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5195		ON SEMICONDUCTOR
2N5195				34.40
2N5195		ST MICROELECTRONICS
2N5195		ON SEMICONDUCTOR	48
2N5195		STMicroelectronics
2N5195		ST MICROELECTRONICS SEMI	104
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.			835.20
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В			5.40
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В	SUNTAN
К73-17-400-0.022 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 400 В	КИТАЙ
МЛТ - 0.25 ВТ 1 МОМ 5%			2 320	1.04
МЛТ - 0.25 ВТ 20 ОМ 10%