| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
|
|
1 240.00
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
36
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
|
|
81.64
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
37.80
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
|
5
|
41.58
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
1
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
4 214
|
135.62
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
|
160
|
125.80
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
397
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
911
|
22.68
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 479
|
16.80
|
|
Версия для печати
