К504НТ1Б
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| К140УД1А | 2 | 580.80 | ||||||
| К140УД1А | РОДОН |
|
|
|||||
| К140УД1А | КВАЗАР |
|
|
|||||
| К504НТ2Б |
|
230.40 | ||||||
| К504НТ2Б | ТОНДИ |
|
|
|||||
 |
 |
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА |
|
29.96 | ||
|
|
|
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | ВИННИЦА |
|
|
|
|
|
|
КП103М1 |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | RUS |
|
|
|
 |
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 825 | 45.90 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
|
 |
КР159НТ1В | 884 | 45.90 | |||||
|
|
КР159НТ1В | ТОНДИ | 118 668 | 5.00 |
