Версия для печати
Технические характеристики 16CTQ080

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	720mV @ 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr	550µA @ 80V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	80V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	38.25
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	1 064	33.15
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN	3	20.66
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	651	4.07
		TYN610RG		Тиристор 600В 10А	ST MICROELECTRONICS
		TYN610RG		Тиристор 600В 10А	STMicroelectronics
		TYN610RG		Тиристор 600В 10А
		Д815Е		металл		3 342	40.80
		Д815Е		металл	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		Д815Е		металл	НОВОСИБИРСК	25 521	16.00
		Д815Е		металл	RUS
		Д815Е		металл	НЭМЗ
		Д815Е		металл	НЗПП	168	57.07
		Д815Е		металл	СЗТП
		Д815Е		металл	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО	8	81.60
		КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431			GAINTA
		КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431
		КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		168 605	5.28
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"