293D226X0035E2T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
293D226X0035E2T (VISHAY.)	1 280	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 293D226X0035E2T

Тип	Электролитический танталовый
Возможности	General Purpose
Size / Dimension	0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Тип	Molded
Допустимые отклонения емкости	±20%
Емкость	22µF
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Высота	0.170" (4.32mm)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Номинальное напряжение	35V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Manufacturer Size Code	E
Корпус (размер)	2917 (7343 Metric)
ESR (Equivalent Series Resistance)	600.0 mOhm
Тип монтажа	Поверхностный

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
INA168NA/250	ИМС датчика тока			350.00
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MUR	8 000	9.72
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FAI/QTC
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS	4 720	10.82
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A		16 000	3.83
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR	15 802
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTO
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS-FAIR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMI
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FUXIN	33 954	1.33
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		SUNTAN
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		КИТАЙ
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V			40	5.87
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEN
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEGSON ELECTRONICS
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		КИТАЙ